casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMWD16UN,518
codice articolo del costruttore | PMWD16UN,518 |
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Numero di parte futuro | FT-PMWD16UN,518 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMWD16UN,518 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
Potenza - Max | 3.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMWD16UN,518 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMWD16UN,518-FT |
SI6955ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6963BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6966DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6966DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6966EDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6966EDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6967DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6967DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6969BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation