casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTQD6866R2G
codice articolo del costruttore | NTQD6866R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NTQD6866R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTQD6866R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
Potenza - Max | 940mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTQD6866R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTQD6866R2G-FT |
SI6928DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6933DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6933DQ-T1-GE3
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