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Rohm Semiconductor SH8M13GZETB

Numero parte MFG
SH8M13GZETB
quantità disponibile
50640 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.30688
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SH8M13GZETB specificazioni

codice articolo del costruttore SH8M13GZETB
Numero di parte futuro FT-SH8M13GZETB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SH8M13GZETB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SH8M13GZETB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SH8M13GZETB-FT

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