casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF2002GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF2002GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF2002GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF2002GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF2002GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF2002GHC0G-FT |
U3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel