casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF2002GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF2002GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF2002GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF2002GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF2002GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF2002GHC0G-FT |
U3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel