casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH3B-M3/9AT
codice articolo del costruttore | UH3B-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-UH3B-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UH3B-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH3B-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH3B-M3/9AT-FT |
RS3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel