casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH3B-M3/57T
codice articolo del costruttore | UH3B-M3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-UH3B-M3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UH3B-M3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH3B-M3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH3B-M3/57T-FT |
RS3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation