casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH3BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | UH3BHE3_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UH3BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UH3BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH3BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH3BHE3_A/H-FT |
RS3DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation