casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1008GAHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1008GAHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1008GAHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1008GAHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1008GAHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1008GAHC0G-FT |
TRS8E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation