casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / TRS6E65C,S1AQ
codice articolo del costruttore | TRS6E65C,S1AQ |
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Numero di parte futuro | FT-TRS6E65C,S1AQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TRS6E65C,S1AQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 650V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2L |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS6E65C,S1AQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TRS6E65C,S1AQ-FT |
S3MHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel