casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMS06(TE12L,Q,M)
codice articolo del costruttore | CMS06(TE12L,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-CMS06(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMS06(TE12L,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMS06(TE12L,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMS06(TE12L,Q,M)-FT |
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel