casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMS06(TE12L,Q,M)
codice articolo del costruttore | CMS06(TE12L,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-CMS06(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMS06(TE12L,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMS06(TE12L,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMS06(TE12L,Q,M)-FT |
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.