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TRS8E65C,S1Q Image

Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q

Numero parte MFG
TRS8E65C,S1Q
quantità disponibile
43160 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.98608
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
TRS8E65C,S1Q.pdf
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TRS8E65C,S1Q specificazioni

codice articolo del costruttore TRS8E65C,S1Q
Numero di parte futuro FT-TRS8E65C,S1Q
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TRS8E65C,S1Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente: media rettificata (Io) 8A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 90µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 44pF @ 650V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2L
Temperatura operativa - Giunzione 175°C (Max)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TRS8E65C,S1Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TRS8E65C,S1Q-FT

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