casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFAF1008GHC0G
codice articolo del costruttore | SFAF1008GHC0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SFAF1008GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF1008GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF1008GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFAF1008GHC0G-FT |
SRAF890HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel