casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERAF1001G C0G
codice articolo del costruttore | HERAF1001G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERAF1001G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1001G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1001G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERAF1001G C0G-FT |
SF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel