casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERAF1002G C0G
codice articolo del costruttore | HERAF1002G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERAF1002G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1002G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1002G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERAF1002G C0G-FT |
SF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel