casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERAF1008G C0G
codice articolo del costruttore | HERAF1008G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERAF1008G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1008G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1008G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERAF1008G C0G-FT |
SF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel