casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SD101C-TP
codice articolo del costruttore | SD101C-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SD101C-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SD101C-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD101C-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD101C-TP-FT |
1N5806TR
Microsemi Corporation
1N6620
Microsemi Corporation
1N6621
Microsemi Corporation
1N6623
Microsemi Corporation
1N6625
Microsemi Corporation
1N6625E3
Microsemi Corporation
1N6626
Microsemi Corporation
1N6627
Microsemi Corporation
1N6628
Microsemi Corporation
1N6629
Microsemi Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
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EP4SGX110FF35C4
Intel