codice articolo del costruttore | 1N6621 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6621 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6621 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 440V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 440V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6621 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6621-FT |
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
Microsemi Corporation
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel