codice articolo del costruttore | 1N6627 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6627 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6627 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 440V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 440V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6627 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6627-FT |
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
Microsemi Corporation
1N6759
Microsemi Corporation
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel