codice articolo del costruttore | 1N6625 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6625 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6625 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6625 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6625-FT |
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
Microsemi Corporation
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
Microsemi Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel