casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR40U120CTE
codice articolo del costruttore | SBR40U120CTE |
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Numero di parte futuro | FT-SBR40U120CTE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR40U120CTE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR40U120CTE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR40U120CTE-FT |
MBR500200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation