casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR30A100CTE
codice articolo del costruttore | SBR30A100CTE |
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Numero di parte futuro | FT-SBR30A100CTE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR30A100CTE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30A100CTE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR30A100CTE-FT |
MBR50040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CT
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel