casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR600100CT
codice articolo del costruttore | MBR600100CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR600100CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR600100CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600100CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR600100CT-FT |
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel