casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR50080CTR
codice articolo del costruttore | MBR50080CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR50080CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50080CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50080CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR50080CTR-FT |
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel