casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR50060CTR
codice articolo del costruttore | MBR50060CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR50060CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50060CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50060CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR50060CTR-FT |
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
XCS20XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3
Intel
LFXP6C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2L
Intel
10AX057K4F35E3SG
Intel