casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR30A100CTE-G
codice articolo del costruttore | SBR30A100CTE-G |
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Numero di parte futuro | FT-SBR30A100CTE-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR30A100CTE-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30A100CTE-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR30A100CTE-G-FT |
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600200CT
GeneSiC Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel