casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR30A100CTE-G
codice articolo del costruttore | SBR30A100CTE-G |
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Numero di parte futuro | FT-SBR30A100CTE-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR30A100CTE-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30A100CTE-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR30A100CTE-G-FT |
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
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MBR50080CTR
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MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CTR
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MBR600150CT
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MBR600150CTR
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MBR600200CT
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel