casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR30A100CTE-G
codice articolo del costruttore | SBR30A100CTE-G |
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Numero di parte futuro | FT-SBR30A100CTE-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR30A100CTE-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30A100CTE-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR30A100CTE-G-FT |
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600200CT
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel