casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR20100CTE
codice articolo del costruttore | SBR20100CTE |
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Numero di parte futuro | FT-SBR20100CTE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR20100CTE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR20100CTE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR20100CTE-FT |
MBR50020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CTR
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MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CT
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MBR50040CTR
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MBR50045CTR
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MBR50060CT
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AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
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XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
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EP1S25B672C7N
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EP1S20F484C6N
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EP4SGX290FH29C3N
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XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation