codice articolo del costruttore | SB1245 |
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Numero di parte futuro | FT-SB1245 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB1245 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB1245 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB1245-FT |
1N8032-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8026-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor
MBR8045
GeneSiC Semiconductor
1N6098
GeneSiC Semiconductor
1N3893R
GeneSiC Semiconductor
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel