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GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA
- Numero parte MFG
- 1N8026-GA
- quantità disponibile
- 95130 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 166.48
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- GeneSiC Semiconductor
- Breve descrizione
- - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 1N8026-GA.pdf
1N8026-GA specificazioni
| codice articolo del costruttore | 1N8026-GA |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-1N8026-GA |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 1N8026-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 2.5A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-257-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 1N8026-GA Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 1N8026-GA-FT |
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