casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N8032-GA
codice articolo del costruttore | 1N8032-GA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N8032-GA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N8032-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 274pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-257-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8032-GA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N8032-GA-FT |
MBRH24030R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24035
GeneSiC Semiconductor
MBRH24035R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24040
GeneSiC Semiconductor
MBRH24040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24045
GeneSiC Semiconductor
MBRH24045R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24060
GeneSiC Semiconductor
MBRH24060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24080
GeneSiC Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel