casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N8031-GA
codice articolo del costruttore | 1N8031-GA |
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Numero di parte futuro | FT-1N8031-GA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N8031-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-276AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-276 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8031-GA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N8031-GA-FT |
MBRH24040R
GeneSiC Semiconductor
MBRH24045
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MBRH24045R
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MBRH24080R
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XC3S400A-4FG400I
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A3PE600-FG484
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AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
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EP4CE6E22C8
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5SGXMA3K2F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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