casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S12MCHR7G
codice articolo del costruttore | S12MCHR7G |
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Numero di parte futuro | FT-S12MCHR7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S12MCHR7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S12MCHR7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S12MCHR7G-FT |
ES2F R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LD R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LG R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJ R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel