casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3DB M4G
codice articolo del costruttore | ES3DB M4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3DB M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3DB M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 46pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DB M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3DB M4G-FT |
S8KCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8MCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK520CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel