casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3DBHR5G
codice articolo del costruttore | ES3DBHR5G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3DBHR5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3DBHR5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 46pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DBHR5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3DBHR5G-FT |
S8KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8MCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK520CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation