casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3FB M4G
codice articolo del costruttore | ES3FB M4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3FB M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3FB M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 41pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3FB M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3FB M4G-FT |
S8MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8MCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515CHM6G
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SK520CHM6G
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SK52CHM6G
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SK52CHR7G
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SK53CHM6G
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A40MX02-1VQ80M
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XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
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A40MX04-3PL68
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LFE3-70EA-9FN672C
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LFE3-17EA-7FN484C
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10AX066K4F35I3LG
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