casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR036JT
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR036JT |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR036JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR036JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 36 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR036JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR036JT-FT |
RW1S0CKR005FE
Ohmite
RW1S0CKR005FET
Ohmite
RW1S0CKR010FE
Ohmite
RW1S0CKR010FET
Ohmite
RW1S0CKR025FET
Ohmite
RW1S0CKR025DE
Ohmite
RW1S0BAR005JE
Ohmite
RW1S0BAR020FET
Ohmite
RW1S0BAR030FET
Ohmite
RW1S0BAR010FE
Ohmite
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel