casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0CKR010FE
codice articolo del costruttore | RW1S0CKR010FE |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0CKR010FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW1S0CK |
RW1S0CKR010FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 4324 J-Lead (4 Terminals) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.425" L x 0.244" W (10.80mm x 6.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.091" (2.30mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0CKR010FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0CKR010FE-FT |
RW2R0DAR100J
Ohmite
RW2R0DAR470JE
Ohmite
RW2R0DAR470JET
Ohmite
RW2S0DA100RJ
Ohmite
RW2S0DA100RJE
Ohmite
RW2S0DA100RJET
Ohmite
RW2S0DA100RJT
Ohmite
RW2S0DA10R0JET
Ohmite
RW2S0DA150RJ
Ohmite
RW2S0DA150RJET
Ohmite
XC3S400-5FGG320C
Xilinx Inc.
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-VQG100T
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
LFXP2-30E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CB121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C7
Intel