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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR020FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR020FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR020FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR020FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR020FET-FT |
RW2S0DA100RJET
Ohmite
RW2S0DA100RJT
Ohmite
RW2S0DA10R0JET
Ohmite
RW2S0DA150RJ
Ohmite
RW2S0DA150RJET
Ohmite
RW2S0DA15R0JET
Ohmite
RW2S0DA1R00JE
Ohmite
RW2S0DA1R00JET
Ohmite
RW2S0DA24R0JET
Ohmite
RW2S0DA47R0JET
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
ICE40HX1K-CB132
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX530NF45C3NES
Intel
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G6F35C6N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel
EP1SGX25FF1020I6N
Intel