casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR010FE
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR010FE |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR010FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR010FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR010FE-FT |
RW2S0DA10R0JET
Ohmite
RW2S0DA150RJ
Ohmite
RW2S0DA150RJET
Ohmite
RW2S0DA15R0JET
Ohmite
RW2S0DA1R00JE
Ohmite
RW2S0DA1R00JET
Ohmite
RW2S0DA24R0JET
Ohmite
RW2S0DA47R0JET
Ohmite
RW2S0DA5R00J
Ohmite
RW2S0DA5R00JET
Ohmite
A40MX02-3VQ80I
Microsemi Corporation
XC4005E-2PQ100I
Xilinx Inc.
LFEC1E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256I
Xilinx Inc.
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FCSG325I
Microsemi Corporation
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7MN132C
Lattice Semiconductor Corporation