casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1M M2G
codice articolo del costruttore | RS1M M2G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1M M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1M M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1M M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1M M2G-FT |
SK210A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel