casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2DA R3G
codice articolo del costruttore | ES2DA R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2DA R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DA R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DA R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2DA R3G-FT |
S1ML R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel