casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1J R3G
codice articolo del costruttore | RS1J R3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1J R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1J R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 600ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1J R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1J R3G-FT |
S1MLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel