casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1C R3G
codice articolo del costruttore | ESH1C R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1C R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1C R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1C R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1C R3G-FT |
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel