casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4904,LF
codice articolo del costruttore | RN4904,LF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN4904,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4904,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4904,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4904,LF-FT |
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel