casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4904,LF
codice articolo del costruttore | RN4904,LF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN4904,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4904,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4904,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4904,LF-FT |
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-FG256
Microsemi Corporation
10M25DAF256I6G
Intel
EPF6010AFC256-3
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
EP4SE530F43C3NES
Intel
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7
Intel