casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE(TE85L,F)
- Numero parte MFG
- RN2908FE(TE85L,F)
- quantità disponibile
- 64390 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.05208
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RN2908FE(TE85L,F).pdf
RN2908FE(TE85L,F) specificazioni
| codice articolo del costruttore | RN2908FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RN2908FE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN2908FE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN2908FE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RN2908FE(TE85L,F)-FT |
Come ordinare?
Richiesta di preventivo - Conferma prezzo - Ordine - Pagamento - Spedizione - FattoMetodi di spedizione
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcolo del trasporto: vi preghiamo di contattarci
Come contattare?
La nostra email: [email protected]Modalità di pagamento
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Componenti correlati nella categoria Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
RN1611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
Componenti di vendita caldi
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel