casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN2909FE(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN2909FE(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-RN2909FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2909FE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2909FE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN2909FE(TE85L,F)-FT |
RN2601(TE85L,F)
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RN2603(TE85L,F)
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RN2604(TE85L,F)
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RN4606(TE85L,F)
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RN4610(TE85L,F)
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RN4611(TE85L,F)
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RN4605(TE85L,F)
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NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C7
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
XC4044XL-1HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
5CGXFC5C6F23I7N
Intel
EP20K160EQC240-2
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel