casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1904FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN1904FE,LF(CT |
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Numero di parte futuro | FT-RN1904FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1904FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1904FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1904FE,LF(CT-FT |
PBLS6003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1605TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
Intel
10AX066K2F40E1SG
Intel
10AX115N1F40E1SG
Intel
10CL120ZF780I8G
Intel
EPF10K30AQC208-2
Intel