casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJU002N06T106
codice articolo del costruttore | RJU002N06T106 |
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Numero di parte futuro | FT-RJU002N06T106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJU002N06T106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJU002N06T106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJU002N06T106-FT |
RCJ510N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ700N20TL
Rohm Semiconductor
RJ1U330AAFRGTL
Rohm Semiconductor
RSJ10HN06TL
Rohm Semiconductor
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R6004ENJTL
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Rohm Semiconductor
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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