casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RCJ510N25TL
codice articolo del costruttore | RCJ510N25TL |
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Numero di parte futuro | FT-RCJ510N25TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RCJ510N25TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPTS |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCJ510N25TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RCJ510N25TL-FT |
RSR020P05TL
Rohm Semiconductor
RSR025P03TL
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RTR011P02TL
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