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Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL

Numero parte MFG
RSJ10HN06TL
quantità disponibile
80780 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.52
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RSJ10HN06TL specificazioni

codice articolo del costruttore RSJ10HN06TL
Numero di parte futuro FT-RSJ10HN06TL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RSJ10HN06TL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 202nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LPTS
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RSJ10HN06TL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RSJ10HN06TL-FT

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