casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSJ800N06TL
codice articolo del costruttore | RSJ800N06TL |
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Numero di parte futuro | FT-RSJ800N06TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSJ800N06TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPTS |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSJ800N06TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSJ800N06TL-FT |
2SK4150TZ-E
Renesas Electronics America
2SK4151TZ-E
Renesas Electronics America
R6020ENZC8
Rohm Semiconductor
R6030KNZC8
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